Framleiðandi Vöru númer:
RX3G18BGNC16
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RX3G18BGNC16-DG
Lýsing:
NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
2903 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12967381
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RX3G18BGNC16 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
168 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
12000 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
RX3G18
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
846-RX3G18BGNC16DKR
846-RX3G18BGNC16CT-DG
846-RX3G18BGNC16CT
846-RX3G18BGNC16TR
846-RX3G18BGNC16DKR-DG
846-RX3G18BGNC16TR-DG
846-RX3G18BGNC16
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
R6524KNX3C16
650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
RQ3G110ATTB
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
PSMN9R5-100PS,127
NEXPERIA PSMN9R5-100PS - 89A, 10
