Framleiðandi Vöru númer:
SCT2160KEGC11
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
SCT2160KEGC11-DG
Lýsing:
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Birgðir:
12967387
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCT2160KEGC11 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -6V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
165W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247N
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SCT2160
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
450
Önnur nöfn
846-SCT2160KEGC11
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SCT2160KEHRC11
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
424
HLUTARNÁMR
SCT2160KEHRC11-DG
Einingaverð
12.61
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
R6530ENZ4C13
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
R6504KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
NTD4N60T4
TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3-PIN(
