RS6L090BGTB1

Framleiðandi Vöru númer:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Framleiðandi:

Rohm Semiconductor

Völu númer:

RS6L090BGTB1-DG

Lýsing:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Birgðir:

2206 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12990010

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

RS6L090BGTB1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

ROHM Semiconductor

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

60 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1950 pF @ 30 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3W (Ta), 73W (Tc)

Hitastig rekstrar

150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-HSOP

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

RS6L090BGTB1-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506