RD3L03BBGTL1
Framleiðandi Vöru númer:

RD3L03BBGTL1

Product Overview

Framleiðandi:

Rohm Semiconductor

Völu númer:

RD3L03BBGTL1-DG

Lýsing:

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252

Birgðir:

2113 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12990018
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

RD3L03BBGTL1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
970 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
50W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
RD3L03

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
846-RD3L03BBGTL1CT
846-RD3L03BBGTL1TR
846-RD3L03BBGTL1DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

unitedsic

UJ4SC075011B7S

750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K810R,LF

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10