Framleiðandi Vöru númer:
RS1P600BHTB1
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RS1P600BHTB1-DG
Lýsing:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Birgðir:
2440 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12976099
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RS1P600BHTB1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4080 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Ta), 35W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSOP
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
RS1P
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
846-RS1P600BHTB1TR
846-RS1P600BHTB1CT
846-RS1P600BHTB1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RS1P600BHTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2440
HLUTARNÁMR
RS1P600BHTB1-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SCT4062KRC15
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
RQ7L055BGTCR
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE