Framleiðandi Vöru númer:
RCX120N20
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RCX120N20-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Birgðir:
13526394
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RCX120N20 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
325mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
740 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220FM
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
RCX120
Gagnaablað & Skjöl
Áreiðanleiki skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRLI630GPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
991
HLUTARNÁMR
IRLI630GPBF-DG
Einingaverð
1.08
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFI630GPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1686
HLUTARNÁMR
IRFI630GPBF-DG
Einingaverð
1.16
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
RK7002AT116
MOSFET N-CH 60V 300MA SST3
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
