Framleiðandi Vöru númer:
IRLI630GPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRLI630GPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 6.2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
991 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914080
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRLI630GPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grunnvörunúmer
IRLI630
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRLI630GPBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4894BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SI4425BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
SI4401DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
