Framleiðandi Vöru númer:
NP180N04TUJ-E1-AY
Product Overview
Framleiðandi:
Renesas Electronics Corporation
Völu númer:
NP180N04TUJ-E1-AY-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Birgðir:
12856939
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NP180N04TUJ-E1-AY Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14250 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB180N04S4H0ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1585
HLUTARNÁMR
IPB180N04S4H0ATMA1-DG
Einingaverð
1.78
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPB180N04S400ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
3979
HLUTARNÁMR
IPB180N04S400ATMA1-DG
Einingaverð
2.28
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTMFS4C50NT3G
MOSFET N-CH 30V 46A 5DFN
NP48N055KHE-E1-AY
TRANSISTOR
NDF06N62ZG
MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
