Framleiðandi Vöru númer:
IPB180N04S4H0ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB180N04S4H0ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Birgðir:
1585 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12814691
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB180N04S4H0ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
17940 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7-3
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB180
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB180N04S4H0ATMA1TR
IPB180N04S4-H0
IPB180N04S4H0ATMA1CT
IPB180N04S4H0ATMA1DKR
SP000711248
IPB180N04S4-H0-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF9393PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
IRF6811STRPBF
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
VP2106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
