Framleiðandi Vöru númer:
2SK1058-E
Product Overview
Framleiðandi:
Renesas Electronics Corporation
Völu númer:
2SK1058-E-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
12852973
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2SK1058-E Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
160 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds á (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (hámark)
±15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
600 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
2SK1058
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDA18N50
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
1564
HLUTARNÁMR
FDA18N50-DG
Einingaverð
1.66
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPA60R380P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
HAT2170HWS-E
MOSFET N-CH 40V 45A 5LFPAK
IPZA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
