Framleiðandi Vöru númer:
FDA18N50
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDA18N50-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN
Birgðir:
1564 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946683
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDA18N50 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
UniFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2860 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
239W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3PN
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
169
Önnur nöfn
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
