Framleiðandi Vöru númer:
NTMT090N65S3HF
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTMT090N65S3HF-DG
Lýsing:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Birgðir:
12990357
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTMT090N65S3HF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SuperFET® III, FRFET®
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 860µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2930 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
272W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-PQFN (8x8)
Pakki / hulstur
4-PowerTSFN
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
488-NTMT090N65S3HFDKR
488-NTMT090N65S3HFTR
488-NTMT090N65S3HFCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
