Framleiðandi Vöru númer:
S2M0080120D
Product Overview
Framleiðandi:
SMC Diode Solutions
Völu númer:
S2M0080120D-DG
Lýsing:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247AD
Birgðir:
230 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12990362
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
S2M0080120D Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
SMC Diode Solutions
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
231W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AD
Pakki / hulstur
TO-247-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
-1765-S2M0080120D
1655-S2M0080120D
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
ICE20N60B
Superjunction MOSFET
