Framleiðandi Vöru númer:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTH4L045N065SC1-DG
Lýsing:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Birgðir:
484 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12964310
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTH4L045N065SC1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
187W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4L
Pakki / hulstur
TO-247-4
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SSM3K7002KF,LXHF
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
