SIR122LDP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR122LDP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR122LDP-T1-RE3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

5364 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12964337
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR122LDP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2380 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIR122LDP-T1-RE3CT
742-SIR122LDP-T1-RE3TR
742-SIR122LDP-T1-RE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
stmicroelectronics

SCTWA60N120G2-4

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

vishay-siliconix

SI7102DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K62TU,LXHF

SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8

vishay-siliconix

SIHH26N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8