FQP19N20C
Framleiðandi Vöru númer:

FQP19N20C

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQP19N20C-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

12850274
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FQP19N20C Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
139W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FQP19

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2166-FQP19N20C-488

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IRF200B211
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
4746
HLUTARNÁMR
IRF200B211-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STP19NF20
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STP19NF20-DG
Einingaverð
0.63
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

FCB20N60FTM

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

onsemi

FDP6030L

MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO3415

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3L

onsemi

FDMA410NZT

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET