Framleiðandi Vöru númer:
IRF200B211
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF200B211-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
4746 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802645
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF200B211 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®, StrongIRFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
790 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
80W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF200
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2166-IRF200B211-448
2156-IRF200B211
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
IRF6636TR1
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
