FQI32N20CTU

Framleiðandi Vöru númer:

FQI32N20CTU

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQI32N20CTU-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 200 V 28A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Birgðir:

RFQ á netinu

12837676

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

FQI32N20CTU Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

-

Röð

QFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

200 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

28A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2220 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.13W (Ta), 156W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-262 (I2PAK)

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

FQI3

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

onsemi

FDB8832-F085

MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB

onsemi

FQB3N80TM

MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

onsemi

FQD5N60CTM_F080

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

onsemi

BFL4007

MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220FI