Framleiðandi Vöru númer:
FDB8832-F085
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDB8832-F085-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 34A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12837681
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDB8832-F085 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
34A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
11400 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FDB883
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
FDB8832_F085TR-DG
FDB8832-F085TR
FDB8832_F085CT
FDB8832_F085
FDB8832_F085DKR
FDB8832_F085TR
FDB8832-F085DKR
FDB8832_F085DKR-DG
FDB8832_F085CT-DG
FDB8832-F085CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB80N03S4L02ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
Einingaverð
1.20
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SUM90N03-2M2P-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1612
HLUTARNÁMR
SUM90N03-2M2P-E3-DG
Einingaverð
1.59
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
FQD5N60CTM_F080
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
BFL4007
MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220FI