Framleiðandi Vöru númer:
IPB80N03S4L02ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
12801219
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
bFkA
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB80N03S4L02ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
9750 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB80N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB80N03S4L-02INDKR-DG
IPB80N03S4L-02INTR-DG
IPB80N03S4L-02INCT
IPB80N03S4L02ATMA1TR
IPB80N03S4L-02INCT-DG
INFINFIPB80N03S4L02ATMA1
IPB80N03S4L-02INDKR
2156-IPB80N03S4L02ATMA1
SP000273282
IPB80N03S4L02ATMA1CT
IPB80N03S4L02ATMA1DKR
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L02
IPB80N03S4L-02-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IPL60R104C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON