Framleiðandi Vöru númer:
IPD65R1K0CEAUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD65R1K0CEAUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12801220
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD65R1K0CEAUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD65R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
448-IPD65R1K0CEAUMA1TR
SP001421368
IPD65R1K0CEAUMA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK6P65W,RQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
58
HLUTARNÁMR
TK6P65W,RQ-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD70R900P7SAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
12655
HLUTARNÁMR
IPD70R900P7SAUMA1-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IPL60R104C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
IPD50R800CEAUMA1
CONSUMER