Framleiðandi Vöru númer:
FQI12N60TU
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQI12N60TU-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
12836483
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQI12N60TU Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
FQI1
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
AOW11N60
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
773
HLUTARNÁMR
AOW11N60-DG
Einingaverð
0.82
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
3LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
FQP13N50C
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
