Framleiðandi Vöru númer:
FQB9N08LTM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB9N08LTM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12836504
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB9N08LTM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB9
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDP047N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
FDPF045N10A
MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
