FDB6021P
Framleiðandi Vöru númer:

FDB6021P

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDB6021P-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

12932222
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDB6021P Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
28A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1890 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
37W (Tc)
Hitastig rekstrar
-65°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FDB602

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki
800

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2114-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET