IRFS254BFP001
Framleiðandi Vöru númer:

IRFS254BFP001

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

IRFS254BFP001-DG

Lýsing:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220F

Birgðir:

7200 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12932261
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFS254BFP001 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
90W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,025
Önnur nöfn
2156-IRFS254BFP001
FAIFSCIRFS254BFP001

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
Not applicable
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
sanyo

FW705-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

renesas-electronics-america

2SK3113-Z-E1-AZ

SMALL SIGNAL FET

renesas-electronics-america

2SK2851TZ-E

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

renesas-electronics-america

2SK3111-Z-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR