Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
FCHD190N65S3R0-F155
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FCHD190N65S3R0-F155-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 17A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
114 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12838763
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FCHD190N65S3R0-F155 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
SuperFET® III
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 390µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1350 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
144W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
FCHD190
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
FCHD190N65S3R0-F155-DG
Gagnaplakks
FCHD190N65S3R0-F155
Gagnablöð
FCHD190N65S3R0
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
2156-FCHD190N65S3R0-F155
FCHD190N65S3R0-F155OS
FCHD190N65S3R0-F155-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPW60R180C7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
218
HLUTARNÁMR
IPW60R180C7XKSA1-DG
Einingaverð
1.58
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPW65R190C7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
220
HLUTARNÁMR
IPW65R190C7XKSA1-DG
Einingaverð
1.69
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SCT3120ALGC11
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
6940
HLUTARNÁMR
SCT3120ALGC11-DG
Einingaverð
4.30
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TK17N65W,S1F
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
TK17N65W,S1F-DG
Einingaverð
1.59
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SIHG25N60EFL-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SIHG25N60EFL-GE3-DG
Einingaverð
2.24
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQP7P06
MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
FDP047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
HUFA75842S3S
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
FDBL9406L-F085
MOSFET N-CH 40V 43A/240A 8HPSOF