Framleiðandi Vöru númer:
BFL4026-1E
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
BFL4026-1E-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 3.5A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
Birgðir:
12838444
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BFL4026-1E Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
650 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3FS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
BFL4026
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2832-BFL4026-1E
ONSONSBFL4026-1E
2156-BFL4026-1E-OS
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
2SK3798(STA4,Q,M)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFIBF30GPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
888
HLUTARNÁMR
IRFIBF30GPBF-DG
Einingaverð
1.53
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFP5N100PM
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
207
HLUTARNÁMR
IXFP5N100PM-DG
Einingaverð
3.67
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDD6782A
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
FCA76N60N
MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN
FCD4N60TF
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
