Framleiðandi Vöru númer:
IRFIBF30GPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFIBF30GPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
888 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13054080
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFIBF30GPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grunnvörunúmer
IRFIBF30
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF-ND
*IRFIBF30GPBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF530
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRF740ASTRRPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
SI4666DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO