Framleiðandi Vöru númer:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
Framleiðandi:
NXP USA Inc.
Völu númer:
PHB18NQ10T,118-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
1966 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947130
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
PHB18NQ10T,118 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
Bulk
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
633 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
79W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
671
Önnur nöfn
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
FDP7030BL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDP100N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
