Framleiðandi Vöru númer:
IRF6641TRPBF
Product Overview
Framleiðandi:
International Rectifier
Völu númer:
IRF6641TRPBF-DG
Lýsing:
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Birgðir:
720 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947144
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6641TRPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MZ
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MZ
Grunnvörunúmer
IRF6641
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
150
Önnur nöfn
2156-IRF6641TRPBF-IR
INFIRFIRF6641TRPBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
