Framleiðandi Vöru númer:
FDB8896
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDB8896-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
15952 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947158
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDB8896 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 93A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2525 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
80W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
330
Önnur nöfn
ONSFSCFDB8896
2156-FDB8896
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
OP540/BD/C3,027
OP540/BD - CUSTOM MOSFET
IRF8304MTRPBF
IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
