FQPF19N20
Framleiðandi Vöru númer:

FQPF19N20

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FQPF19N20-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Birgðir:

15905 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947177
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FQPF19N20 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack

Aukainformation

Venjulegur pakki
279
Önnur nöfn
2156-FQPF19N20
ONSONSFQPF19N20

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
international-rectifier

IRF6646TRPBF

IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD5N50TM

4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE

onsemi

NTR3A085PZT1G

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF6613TRPBF

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW