Framleiðandi Vöru númer:
JANTXV2N6796
Product Overview
Framleiðandi:
Microsemi Corporation
Völu númer:
JANTXV2N6796-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Birgðir:
12923411
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
JANTXV2N6796 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
Military, MIL-PRF-19500/557
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28.51 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-205AF (TO-39)
Pakki / hulstur
TO-205AF Metal Can
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
JANTXV2N6796-DG
JANTXV2N6796-MIL
150-JANTXV2N6796
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQP3N30
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
JANTXV2N7228
MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
JAN2N6798
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
