Framleiðandi Vöru númer:
JAN2N6798
Product Overview
Framleiðandi:
Microsemi Corporation
Völu númer:
JAN2N6798-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Birgðir:
12923491
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
JAN2N6798 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
Military, MIL-PRF-19500/557
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-39
Pakki / hulstur
TO-205AF Metal Can
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
150-JAN2N6798
JAN2N6798-MIL
JAN2N6798-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTD50N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
FDS4080N7
MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
JANTXV2N7228U
MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB
