Framleiðandi Vöru númer:
JANTX2N6788
Product Overview
Framleiðandi:
Microsemi Corporation
Völu númer:
JANTX2N6788-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Birgðir:
12926755
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
JANTX2N6788 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
800mW (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Military
Hæfni
MIL-PRF-19500/555
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-39
Pakki / hulstur
TO-205AF Metal Can
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
JANTX2N6788-DG
JANTX2N6788-MIL
150-JANTX2N6788
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
