Framleiðandi Vöru númer:
FQB630TM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB630TM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12926835
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB630TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB6
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RCJ120N20TL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
33
HLUTARNÁMR
RCJ120N20TL-DG
Einingaverð
0.44
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRL630STRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IRL630STRLPBF-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
MMBF170LT1
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
SFT1345-H
MOSFET P-CH 100V 11A TP
