Framleiðandi Vöru númer:
MCB60I1200TZ
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
MCB60I1200TZ-DG
Lýsing:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Birgðir:
12915364
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
MCB60I1200TZ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+20V, -5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pakki / hulstur
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grunnvörunúmer
MCB60I1200
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
Q10970246
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFPG40
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO