Framleiðandi Vöru númer:
SI4162DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4162DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 19.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
29878 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915380
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4162DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1155 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4162
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4162DY-T1-GE3TR
SI4162DY-T1-GE3CT
SI4162DY-T1-GE3DKR
SI4162DYT1GE3
SI4162DY-T1-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFI740GPBF
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
PMN55ENEAX
MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
NVTFS5811NLWFTWG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
