Framleiðandi Vöru númer:
IXTH62N65X2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTH62N65X2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Birgðir:
10 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12820907
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTH62N65X2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Ultra X2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5940 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
780W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247 (IXTH)
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IXTH62
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPW60R060P7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
60
HLUTARNÁMR
IPW60R060P7XKSA1-DG
Einingaverð
3.01
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
