Framleiðandi Vöru númer:
IXTN200N10T
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTN200N10T-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Birgðir:
12820910
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTN200N10T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Trench
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
550W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
SOT-227B
Pakki / hulstur
SOT-227-4, miniBLOC
Grunnvörunúmer
IXTN200
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFN200N10P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
37
HLUTARNÁMR
IXFN200N10P-DG
Einingaverð
17.53
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
IXTK210P10T
MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
