Framleiðandi Vöru númer:
IXFX32N80P
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFX32N80P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Birgðir:
12821681
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFX32N80P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
830W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PLUS247™-3
Pakki / hulstur
TO-247-3 Variant
Grunnvörunúmer
IXFX32
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPW17N80C3FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
452
HLUTARNÁMR
SPW17N80C3FKSA1-DG
Einingaverð
2.35
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
APT38F80B2
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
37
HLUTARNÁMR
APT38F80B2-DG
Einingaverð
13.93
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFP27N60KPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
185
HLUTARNÁMR
IRFP27N60KPBF-DG
Einingaverð
4.92
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SPW16N50C3FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
196
HLUTARNÁMR
SPW16N50C3FKSA1-DG
Einingaverð
1.66
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRF2804STRL7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IXFK44N50
MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA
IXFA36N30P3
MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA