APT38F80B2
Framleiðandi Vöru númer:

APT38F80B2

Product Overview

Framleiðandi:

Microchip Technology

Völu númer:

APT38F80B2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Birgðir:

37 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13251868
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

APT38F80B2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microchip Technology
Pakkning
Tube
Röð
POWER MOS 8™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8070 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1040W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
T-MAX™ [B2]
Pakki / hulstur
TO-247-3 Variant
Grunnvörunúmer
APT38F80

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
APT38F80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
microchip-technology

APT5018SLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

microchip-technology

APT26M100JCU3

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

microchip-technology

APT5020SVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

microchip-technology

APT10M19SVFRG

MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK