Framleiðandi Vöru númer:
IRF1407PBF
Product Overview
Framleiðandi:
International Rectifier
Völu númer:
IRF1407PBF-DG
Lýsing:
IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
1150 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946794
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF1407PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
75 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
236
Önnur nöfn
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
HTSUS
0000.00.0000
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDFMA2P853
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
