FDB86102LZ
Framleiðandi Vöru númer:

FDB86102LZ

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDB86102LZ-DG

Lýsing:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

6118 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946803
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDB86102LZ Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1275 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
FDB86102LZ Datasheet

Aukainformation

Venjulegur pakki
345
Önnur nöfn
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3