FQA27N25
Framleiðandi Vöru númer:

FQA27N25

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FQA27N25-DG

Lýsing:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN

Birgðir:

237 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946804
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FQA27N25 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2450 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
210W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3PN
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
189
Önnur nöfn
2156-FQA27N25
ONSONSFQA27N25

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS4435BZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9