Framleiðandi Vöru númer:
SPW17N80C3A
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPW17N80C3A-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Birgðir:
12805873
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPW17N80C3A Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2320 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-1
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SPW17N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
SPW17N80C3AX
SP000101842
SPW17N80C3AXK
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFH20N85X
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
271
HLUTARNÁMR
IXFH20N85X-DG
Einingaverð
5.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFR32N80Q3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
57
HLUTARNÁMR
IXFR32N80Q3-DG
Einingaverð
25.07
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFX27N80Q
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
63
HLUTARNÁMR
IXFX27N80Q-DG
Einingaverð
16.43
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP100N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
IRLR3410TRL
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRLR3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
