Framleiðandi Vöru númer:
IPP100N08N3GHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP100N08N3GHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
12805874
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP100N08N3GHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP100N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000474188
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SUP70090E-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
370
HLUTARNÁMR
SUP70090E-GE3-DG
Einingaverð
1.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPP100N08N3GXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
587
HLUTARNÁMR
IPP100N08N3GXKSA1-DG
Einingaverð
1.00
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
SUP85N10-10-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
384
HLUTARNÁMR
SUP85N10-10-E3-DG
Einingaverð
2.88
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLR3410TRL
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRLR3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPL65R340CFDAUMA2
MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
