Framleiðandi Vöru númer:
SPS02N60C3
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPS02N60C3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Birgðir:
12806494
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
3E5l
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPS02N60C3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3-11
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
SPS02N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
INFINFSPS02N60C3
SP000235878
2156-SPS02N60C3-IT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STU2N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3000
HLUTARNÁMR
STU2N62K3-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLI530N
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
SPD08N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
