Framleiðandi Vöru númer:
IRF830PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF830PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12806499
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF830PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF830
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF830PBF-BE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3320
HLUTARNÁMR
IRF830PBF-BE3-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
IRF830PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
9086
HLUTARNÁMR
IRF830PBF-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
IRFB4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
SPA11N60C3IN
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
