Framleiðandi Vöru númer:
SPS01N60C3
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPS01N60C3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Birgðir:
12805654
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPS01N60C3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
100 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
11W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3-11
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
SPS01N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
2156-SPS01N60C3-IT
SP000235876
INFINFSPS01N60C3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD2HNK60Z-1
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3054
HLUTARNÁMR
STD2HNK60Z-1-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7324D1TR
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
IPB80N06S4L07ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPW90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
